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DMP2006UFGQ-7

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DMP2006UFGQ-7

MOSFET P-CH 20V PWRDI3333

não conforme

DMP2006UFGQ-7 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,000 $0.45205 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
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Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 20 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 17.5A (Ta), 40A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 1.5V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 5.5mOhm @ 15A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 1V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 200 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±10V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 7500 pF @ 10 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2.3W (Ta), 41W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerDI3333-8
pacote / caixa 8-PowerVDFN
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Número da peça relacionada

NVMYS1D6N04CLT1G
NVMYS1D6N04CLT1G
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NVMFS5C430NLWFET1G
NVMFS5C430NLWFET1G
$0 $/pedaço
UPA2702TP-E2-AZ
UPA2702TP-E2-AZ
$0 $/pedaço
G3404LL
G3404LL
$0 $/pedaço
RFP25N06L
RFP25N06L
$0 $/pedaço
NTMFSC012N15MC
NTMFSC012N15MC
$0 $/pedaço
03N06
03N06
$0 $/pedaço
G01N20LE
G01N20LE
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NVMFWS005N10MCLT1G
NVMFWS005N10MCLT1G
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