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DMN90H2D2HCTI

DMN90H2D2HCTI

DMN90H2D2HCTI

MOSFET N-CH 900V 6A ITO220AB

não conforme

DMN90H2D2HCTI Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $2.01000 $2.01
50 $1.62680 $81.34
100 $1.43590 $143.59
500 $1.13584 $567.92
1,000 $0.91760 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 900 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 6A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 2.2Ohm @ 3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 20.3 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1487 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 40W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor ITO-220AB
pacote / caixa TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
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Número da peça relacionada

SIHG17N80AE-GE3
IRFPG40PBF
IRFPG40PBF
$0 $/pedaço
RSH065N06GZETB
DMP4015SK3Q-13
RSJ650N10TL
RSJ650N10TL
$0 $/pedaço
FCH165N60E
FCH165N60E
$0 $/pedaço

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