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DMN65D8LV-7

DMN65D8LV-7

DMN65D8LV-7

MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT563 T&R

não conforme

DMN65D8LV-7 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.06820 $0.0682
500 $0.067518 $33.759
1000 $0.066836 $66.836
1500 $0.066154 $99.231
2000 $0.065472 $130.944
2500 $0.06479 $161.975
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 310mA (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 3Ohm @ 115mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 0.87 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 22 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 370mW (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-23-3
pacote / caixa TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Número da peça relacionada

P3M17040K4
APT10021JFLL
MSC100SM70JCU3
BUK9609-40B,118
AUIRLR2905ZTRL
FDY300NZ
FDY300NZ
$0 $/pedaço
SUD23N06-31L-T4-E3
IPU60R1K4C6

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