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DMN6069SFGQ-7

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MOSFET N-CH 60V 18A POWERDI3333

não conforme

DMN6069SFGQ-7 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,000 $0.32544 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 18A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 50mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 25 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1480 pF @ 30 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2.4W
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerDI3333-8
pacote / caixa 8-PowerVDFN
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Número da peça relacionada

SQS462EN-T1_BE3
DMN4020LFDEQ-7
R6504ENXC7G
R6504ENXC7G
$0 $/pedaço
SQJQ142E-T1_GE3
IXTT40N50L2-TRL
IXTT40N50L2-TRL
$0 $/pedaço
G29
G29
$0 $/pedaço
NVTYS9D6P04M8LTWG
NVTYS9D6P04M8LTWG
$0 $/pedaço
IXTT96N20P-TRL
IXTT96N20P-TRL
$0 $/pedaço
SFT1305-TL-E
SFT1305-TL-E
$0 $/pedaço

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