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DMN6010SCTB-13

DMN6010SCTB-13

DMN6010SCTB-13

MOSFET BVDSS: 41V~60V TO263 T&R

compliant

DMN6010SCTB-13 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.89904 $1.89904
500 $1.8800496 $940.0248
1000 $1.8610592 $1861.0592
1500 $1.8420688 $2763.1032
2000 $1.8230784 $3646.1568
2500 $1.804088 $4510.22
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 128A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 10mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 46 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2692 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 5W (Ta), 312W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-263AB (D²PAK)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

DMN2013UFDEQ-7
IGT60R070D1ATMA4
DMG7430LFGQ-7
SCT2450KEHRC11
RFW2N06RLE
RFW2N06RLE
$0 $/pedaço
IXTQ60N10T
IXTQ60N10T
$0 $/pedaço

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