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DMN3018SFGQ-7

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MOSFET N-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8

compliant

DMN3018SFGQ-7 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,000 $0.20250 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 8.5A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 21mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.1V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 13.2 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±25V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 697 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1W (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerDI3333-8
pacote / caixa 8-PowerVDFN
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