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DMN2025U

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DIODE

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DMN2025U Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 20 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 5.6A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 1.8V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 27mOhm @ 6.5A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 900mV @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 5.9 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) ±12V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 485 pF @ 10 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 800mW
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-23-3
pacote / caixa TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Número da peça relacionada

BSP320S E6433
IRFH7440TR2PBF
IPD040N03LG
IXTQ62N25T
IXTQ62N25T
$0 $/pedaço
IPP03N03LB G
DMN5L06TK-7
DMN5L06TK-7
$0 $/pedaço
SPI80N06S2-07
IRF3205ZS
IRF3205ZS
$0 $/pedaço
BSP317PL6327

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