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DMN10H170SVTQ-13

DMN10H170SVTQ-13

DMN10H170SVTQ-13

MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

não conforme

DMN10H170SVTQ-13 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.20475 $0.20475
500 $0.2027025 $101.35125
1000 $0.200655 $200.655
1500 $0.1986075 $297.91125
2000 $0.19656 $393.12
2500 $0.1945125 $486.28125
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 2.6A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 160mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 9.7 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1167 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.2W (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TSOT-26
pacote / caixa SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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Número da peça relacionada

MMFTP84W
MMFTP84W
$0 $/pedaço
DMN2100UDM-7
STF24N60M6
STF24N60M6
$0 $/pedaço
IRF7241TRPBF
DMT35M7LFV-13
MCQ16N03-TP
MCQ16N03-TP
$0 $/pedaço
IPU60R1K4C6AKMA1
FDD10AN06A0
FDD10AN06A0
$0 $/pedaço

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