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DMN10H170SVT-13

DMN10H170SVT-13

DMN10H170SVT-13

MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

não conforme

DMN10H170SVT-13 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
10,000 $0.18535 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
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Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 2.6A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 160mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 9.7 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1167 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.2W (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TSOT-26
pacote / caixa SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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Número da peça relacionada

R5013ANXFU6
R5013ANXFU6
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STFI10N65K3
STFI10N65K3
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CSD25202W15
CSD25202W15
$0 $/pedaço
CSD18531Q5A
CSD18531Q5A
$0 $/pedaço
IXFH22N60P3
IXFH22N60P3
$0 $/pedaço
STW65N60DM6
STW65N60DM6
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RM150N30LT2
RM150N30LT2
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