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DMN10H170SFGQ-7

DMN10H170SFGQ-7

DMN10H170SFGQ-7

MOSFET N-CH 100V PWRDI3333

compliant

DMN10H170SFGQ-7 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.30576 $0.30576
500 $0.3027024 $151.3512
1000 $0.2996448 $299.6448
1500 $0.2965872 $444.8808
2000 $0.2935296 $587.0592
2500 $0.290472 $726.18
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 2.9A (Ta), 8.5A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 122mOhm @ 3.3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 14.9 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 870.7 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 940mW (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerDI3333-8
pacote / caixa 8-PowerVDFN
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Número da peça relacionada

STY30N50E
STY30N50E
$0 $/pedaço
R6009KNXC7G
R6009KNXC7G
$0 $/pedaço
EPC2218A
EPC2218A
$0 $/pedaço
NTTFS030N06CTAG
NTTFS030N06CTAG
$0 $/pedaço
DMP2021UTSQ-13
G08N06S
G08N06S
$0 $/pedaço
IXFA36N55X2
IXFA36N55X2
$0 $/pedaço
2SK3714-S12-AZ
2SK3714-S12-AZ
$0 $/pedaço

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