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DMN1019USN-13

DMN1019USN-13

DMN1019USN-13

MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59

não conforme

DMN1019USN-13 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
10,000 $0.13139 -
30,000 $0.12173 -
50,000 $0.11771 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 12 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 9.3A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 1.2V, 2.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 800mV @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 50.6 nC @ 8 V
vgs (máx.) ±8V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2426 pF @ 10 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 680mW (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SC-59-3
pacote / caixa TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Número da peça relacionada

R6007KNX
R6007KNX
$0 $/pedaço
PSMN0R9-25YLC,115
IXFH230N10T
IXFH230N10T
$0 $/pedaço
DN1509K1-G
DN1509K1-G
$0 $/pedaço
IRFL014TRPBF
IRFL014TRPBF
$0 $/pedaço
STP7N80K5
STP7N80K5
$0 $/pedaço
IRLI540GPBF
IRLI540GPBF
$0 $/pedaço
SQD15N06-42L_GE3
ZXMN6A11GTA
ZXMN6A11GTA
$0 $/pedaço
SIHG47N60AEF-GE3

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