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2N7002E-7-F-79

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DIODE

compliant

2N7002E-7-F-79 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 250mA (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 3Ohm @ 250mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 0.23 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 50 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 370mW (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-23-3
pacote / caixa TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Número da peça relacionada

SI8445DB-T2-E1
SI8445DB-T2-E1
$0 $/pedaço
IRLZ34NS
IRLZ34NS
$0 $/pedaço
STB15NM65N
STB15NM65N
$0 $/pedaço
IRLR3303TRR
STF15NM60ND
STF15NM60ND
$0 $/pedaço
FQD17P06TF
FQD17P06TF
$0 $/pedaço
IRFB9N30APBF
IRFB9N30APBF
$0 $/pedaço
IRF7523D1
IRF7523D1
$0 $/pedaço

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