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SSW2N60BTM

SSW2N60BTM

SSW2N60BTM

N-CHANNEL POWER MOSFET

não conforme

SSW2N60BTM Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.43000 $0.43
500 $0.4257 $212.85
1000 $0.4214 $421.4
1500 $0.4171 $625.65
2000 $0.4128 $825.6
2500 $0.4085 $1021.25
4632 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 2A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 5Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 17 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 490 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.13W (Ta), 54W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D2PAK
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

FQP4N80
FQP4N80
$0 $/pedaço
NVB150N65S3F
NVB150N65S3F
$0 $/pedaço
RS3E095BNGZETB
SIHG039N60EF-GE3
STP21N90K5
STP21N90K5
$0 $/pedaço
MCP87090T-U/MF
CSD18513Q5AT
CSD18513Q5AT
$0 $/pedaço
IXTH16N10D2
IXTH16N10D2
$0 $/pedaço

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