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SSS1N60B

SSS1N60B

SSS1N60B

N-CHANNEL POWER MOSFET

não conforme

SSS1N60B Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.14000 $0.14
500 $0.1386 $69.3
1000 $0.1372 $137.2
1500 $0.1358 $203.7
2000 $0.1344 $268.8
2500 $0.133 $332.5
3684 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 1A (Tj)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 12Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 7.7 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 215 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 17W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220F
pacote / caixa TO-220-3 Full Pack
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Número da peça relacionada

DMN3404LQ-7
DMN3404LQ-7
$0 $/pedaço
SIR4608DP-T1-GE3
MTAJ3055EL
MTAJ3055EL
$0 $/pedaço
SQM40022E_GE3
SQM40022E_GE3
$0 $/pedaço
NTMFS5C450NLT1G
NTMFS5C450NLT1G
$0 $/pedaço
BUK9217-75B,118
NTMFS4H02NT3G
NTMFS4H02NT3G
$0 $/pedaço

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