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SSR4N60BTM

SSR4N60BTM

SSR4N60BTM

N-CHANNEL POWER MOSFET

não conforme

SSR4N60BTM Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 2.8A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 2.5Ohm @ 1.4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 29 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 920 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2.5W (Ta), 49W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-252-3 (DPAK)
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

IRF8308MTR1PBF
IRL2703PBF
IRF5802
IRF5802
$0 $/pedaço
SIE836DF-T1-E3
SIE836DF-T1-E3
$0 $/pedaço
FQP6N90
FQP6N90
$0 $/pedaço
IRFS59N10DPBF
ZXM61P03FTC
ZXM61P03FTC
$0 $/pedaço
IXFP4N100Q
IXFP4N100Q
$0 $/pedaço

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