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SSP1N60B

SSP1N60B

SSP1N60B

N-CHANNEL POWER MOSFET

não conforme

SSP1N60B Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.15000 $0.15
500 $0.1485 $74.25
1000 $0.147 $147
1500 $0.1455 $218.25
2000 $0.144 $288
2500 $0.1425 $356.25
3644 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 1A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 12Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 7.7 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 215 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 34W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

CPH6614-TL-E
CPH6614-TL-E
$0 $/pedaço
IRL530NSTRRPBF
STB4N62K3
STB4N62K3
$0 $/pedaço
TP2502N8-G
TP2502N8-G
$0 $/pedaço
NVMYS010N04CLTWG
NVMYS010N04CLTWG
$0 $/pedaço
CSD19532KTT
CSD19532KTT
$0 $/pedaço
IXFA3N120
IXFA3N120
$0 $/pedaço
FQD13N10LTM
FQD13N10LTM
$0 $/pedaço
FDD6670AL_NL

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