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SI6466DQ

SI6466DQ

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N-CHANNEL POWER MOSFET

não conforme

SI6466DQ Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.23000 $0.23
500 $0.2277 $113.85
1000 $0.2254 $225.4
1500 $0.2231 $334.65
2000 $0.2208 $441.6
2500 $0.2185 $546.25
3040 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 20 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 7.8A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 2.5V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 15mOhm @ 7.8A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 1.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 20 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) ±12V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1320 pF @ 10 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.1W (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 8-TSSOP
pacote / caixa 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
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Número da peça relacionada

BUK655R0-75C,127
BUK655R0-75C,127
$0 $/pedaço
PHK18NQ03LT,518
RM25N30DN
RM25N30DN
$0 $/pedaço
IXFK32N100X
IXFK32N100X
$0 $/pedaço
BUK9Y19-55B,115
APT24M80B
APT24M80B
$0 $/pedaço
VN10KN3-G-P003
HUF75545S3
IXTP32P05T
IXTP32P05T
$0 $/pedaço

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