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RFP2N10

RFP2N10

RFP2N10

N-CHANNEL, MOSFET

RFP2N10 Ficha de dados

compliant

RFP2N10 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.27000 $0.27
500 $0.2673 $133.65
1000 $0.2646 $264.6
1500 $0.2619 $392.85
2000 $0.2592 $518.4
2500 $0.2565 $641.25
1323 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 2A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.05Ohm @ 2A, 5V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs -
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 200 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 25W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

HAT1091C-EL-E
HAT1091C-EL-E
$0 $/pedaço
DMT10H072LFDFQ-13
DMT12H007LPS-13
SIHW21N80AE-GE3
NVTFS052P04M8LTAG
NVTFS052P04M8LTAG
$0 $/pedaço
IRFU220
IRFU220
$0 $/pedaço
MSJU11N65A-TP
DMP4013SPS-13
IXFH170N15X3
IXFH170N15X3
$0 $/pedaço
DMG7430LFG-7

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