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RFD4N06LSM9A

RFD4N06LSM9A

RFD4N06LSM9A

MOSFET N-CH 60V 4A TO252AA

não conforme

RFD4N06LSM9A Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.52000 $0.52
500 $0.5148 $257.4
1000 $0.5096 $509.6
1500 $0.5044 $756.6
2000 $0.4992 $998.4
2500 $0.494 $1235
67132 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 4A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 5V
rds em (máx.) @ id, vgs 600mOhm @ 1A, 5V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 8 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±10V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds -
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 30W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-252, (D-Pak)
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

IRFR6215TRPBF
NVMFS015N10MCLT1G
NVMFS015N10MCLT1G
$0 $/pedaço
SI7454DP-T1-GE3
STFW4N150
STFW4N150
$0 $/pedaço
FCH47N60F-F085
FCH47N60F-F085
$0 $/pedaço
NVMFS6H824NT1G
NVMFS6H824NT1G
$0 $/pedaço
STB18NF25
STB18NF25
$0 $/pedaço
SBSS84LT1G
SBSS84LT1G
$0 $/pedaço
APT60M60JFLL

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