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RFD4N06L

RFD4N06L

RFD4N06L

N-CHANNEL POWER MOSFET

não conforme

RFD4N06L Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.28000 $0.28
500 $0.2772 $138.6
1000 $0.2744 $274.4
1500 $0.2716 $407.4
2000 $0.2688 $537.6
2500 $0.266 $665
1424 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 4A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 5V
rds em (máx.) @ id, vgs 600mOhm @ 1A, 5V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 8 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±10V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds -
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 30W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor I-Pak
pacote / caixa TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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Número da peça relacionada

DMN2710UWQ-7
SIR690DP-T1-RE3
DMTH4001SPSQ-13
NTNS3CS94NZT5G
NTNS3CS94NZT5G
$0 $/pedaço
RFD16N02L
RFD16N02L
$0 $/pedaço
DMTH6016LPS-13
IRFR91109A
IRFR91109A
$0 $/pedaço
UJ3C120080K3S
UJ3C120080K3S
$0 $/pedaço

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