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IRF654BFP001

IRF654BFP001

IRF654BFP001

N-CHANNEL POWER MOSFET

não conforme

IRF654BFP001 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.85000 $0.85
500 $0.8415 $420.75
1000 $0.833 $833
1500 $0.8245 $1236.75
2000 $0.816 $1632
2500 $0.8075 $2018.75
2935 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 250 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 21A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 140mOhm @ 10.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 123 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3400 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 156W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

STB80NF55L-08-1
STP80N6F6
STP80N6F6
$0 $/pedaço
DMN4800LSSL-13
FDB8860
FDB8860
$0 $/pedaço
IRFR120PBF
IRFR120PBF
$0 $/pedaço
IXTH75N10L2
IXTH75N10L2
$0 $/pedaço

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