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IRF644B-FP001

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IRF644B-FP001

IRF644B - DISCRETE MOSFET

não conforme

IRF644B-FP001 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,000 $0.65285 -
980 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 250 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 14A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 280mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 60 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1600 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 139W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220-3
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

NVMTS6D0N15MC
NVMTS6D0N15MC
$0 $/pedaço
2SK2857-T1-AZ
2SK2857-T1-AZ
$0 $/pedaço
N0302P-T1-AT
N0302P-T1-AT
$0 $/pedaço
STD5NM50AG
STD5NM50AG
$0 $/pedaço
BSS169IXTSA1
NTH4L045N065SC1
NTH4L045N065SC1
$0 $/pedaço

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