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IRF643

IRF643

IRF643

N-CHANNEL POWER MOSFET

IRF643 Ficha de dados

compliant

IRF643 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.80000 $0.8
500 $0.792 $396
1000 $0.784 $784
1500 $0.776 $1164
2000 $0.768 $1536
2500 $0.76 $1900
3050 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 150 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 16A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 220mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 64 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1275 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 125W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220AB
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

GCMX080B120S1-E1
GCMX080B120S1-E1
$0 $/pedaço
SI3400-TP
SI3400-TP
$0 $/pedaço
IPP60R040S7XKSA1
DMTH48M3SFVWQ-13
DMT8012LPS-13
DMT4011LFG-13
IXTY1R6N100D2-TRL
IXTY1R6N100D2-TRL
$0 $/pedaço
DMT10H003SPSW-13

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