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IRF542

IRF542

IRF542

N-CHANNEL POWER MOSFET

IRF542 Ficha de dados

compliant

IRF542 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.48000 $1.48
500 $1.4652 $732.6
1000 $1.4504 $1450.4
1500 $1.4356 $2153.4
2000 $1.4208 $2841.6
2500 $1.406 $3515
7679 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 25A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 100mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 59 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1450 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 150W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220AB
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

2SK3278-E
2SK3278-E
$0 $/pedaço
DMT8008SCT
DMT8008SCT
$0 $/pedaço
NVMFS5C410NLWFET1G
NVMFS5C410NLWFET1G
$0 $/pedaço
DMT10H032SFVW-13
DMTH10H4M6SPS-13
SI3134KL3A-TP
RFP2N20
RFP2N20
$0 $/pedaço

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