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IRF231

IRF231

IRF231

N-CHANNEL POWER MOSFET

IRF231 Ficha de dados

compliant

IRF231 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.87000 $0.87
500 $0.8613 $430.65
1000 $0.8526 $852.6
1500 $0.8439 $1265.85
2000 $0.8352 $1670.4
2500 $0.8265 $2066.25
1234 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 150 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 9A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 400mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 30 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 600 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 75W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-3
pacote / caixa TO-204AA, TO-3
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Número da peça relacionada

NTMFS006N08MC
NTMFS006N08MC
$0 $/pedaço
FQI2N30TU
IXTH32N65X
IXTH32N65X
$0 $/pedaço
STD12N50DM2
STD12N50DM2
$0 $/pedaço
STF6N80K5
STF6N80K5
$0 $/pedaço
SQA413CEJW-T1_GE3
STO36N60M6
STO36N60M6
$0 $/pedaço

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