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HUF76619D3S

HUF76619D3S

HUF76619D3S

MOSFET N-CH 100V 18A TO252AA

não conforme

HUF76619D3S Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,800 $0.53766 -
5406 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 18A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 85mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 29 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±16V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 767 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 75W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-252, (D-Pak)
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

5LN01S-TL-E
5LN01S-TL-E
$0 $/pedaço
IXTY1R6N100D2
IXTY1R6N100D2
$0 $/pedaço
IPD50R650CEAUMA1
DMG3401LSN-7
IXTH200N10T
IXTH200N10T
$0 $/pedaço
ZXMP4A16GQTC
MMIX1T132N50P3
MMIX1T132N50P3
$0 $/pedaço
STD155N3LH6
STD155N3LH6
$0 $/pedaço

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