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Nome | Valor |
---|---|
status do produto | Active |
tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky |
tensão - dc reversa (vr) (máx.) | 650 V |
corrente - média retificada (io) | 30.5A (DC) |
tensão - direta (vf) (máx.) @ if | 1.7 V @ 8 A |
velocidade | No Recovery Time > 500mA (Io) |
tempo de recuperação reversa (trr) | 0 ns |
corrente - fuga reversa @ vr | 50 µA @ 650 V |
capacitância @ vr, f | 395pF @ 0V, 1MHz |
tipo de montagem | Surface Mount |
pacote / caixa | 8-PowerTDFN |
pacote de dispositivo do fornecedor | 8-DFN (4.9x5.75) |
temperatura de operação - junção | -55°C ~ 175°C |
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