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G4S6508Z

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SIC SCHOTTKY DIODE 650V 8A DFN5*

não conforme

G4S6508Z Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $5.16000 $5.16
500 $5.1084 $2554.2
1000 $5.0568 $5056.8
1500 $5.0052 $7507.8
2000 $4.9536 $9907.2
2500 $4.902 $12255
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de diodo Silicon Carbide Schottky
tensão - dc reversa (vr) (máx.) 650 V
corrente - média retificada (io) 30.5A (DC)
tensão - direta (vf) (máx.) @ if 1.7 V @ 8 A
velocidade No Recovery Time > 500mA (Io)
tempo de recuperação reversa (trr) 0 ns
corrente - fuga reversa @ vr 50 µA @ 650 V
capacitância @ vr, f 395pF @ 0V, 1MHz
tipo de montagem Surface Mount
pacote / caixa 8-PowerTDFN
pacote de dispositivo do fornecedor 8-DFN (4.9x5.75)
temperatura de operação - junção -55°C ~ 175°C
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Número da peça relacionada

JANTX1N4150UR-1
1N1186A
1N1186A
$0 $/pedaço
STTH1003SB-TR
SBJ1845
SBJ1845
$0 $/pedaço
PMEG3010ESBC314
PMEG3010ESBC314
$0 $/pedaço
STPS130AFN
STPS130AFN
$0 $/pedaço
FR207GB-G
FR207GB-G
$0 $/pedaço

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