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G3S12010P

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G3S12010P

SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 2-P

não conforme

G3S12010P Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $14.88000 $14.88
500 $14.7312 $7365.6
1000 $14.5824 $14582.4
1500 $14.4336 $21650.4
2000 $14.2848 $28569.6
2500 $14.136 $35340
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de diodo Silicon Carbide Schottky
tensão - dc reversa (vr) (máx.) 1200 V
corrente - média retificada (io) 37A (DC)
tensão - direta (vf) (máx.) @ if 1.7 V @ 110 A
velocidade No Recovery Time > 500mA (Io)
tempo de recuperação reversa (trr) 0 ns
corrente - fuga reversa @ vr 50 µA @ 1200 V
capacitância @ vr, f 765pF @ 0V, 1MHz
tipo de montagem Through Hole
pacote / caixa TO-247-2
pacote de dispositivo do fornecedor TO-247AC
temperatura de operação - junção -55°C ~ 175°C
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Número da peça relacionada

GL34JR13
GL34JR13
$0 $/pedaço
1N4148WT-7
1N4148WT-7
$0 $/pedaço
1N5817-TP
1N5817-TP
$0 $/pedaço
MBR140HW
MBR140HW
$0 $/pedaço
CDBQR70
CDBQR70
$0 $/pedaço
STTH10R04D
STTH10R04D
$0 $/pedaço
ER1G-LTP
ER1G-LTP
$0 $/pedaço
CDLL1A30
CDLL1A30
$0 $/pedaço
FES1DE-7
FES1DE-7
$0 $/pedaço

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