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G3S12010BM

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SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 3-P

compliant

G3S12010BM Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $15.80000 $15.8
500 $15.642 $7821
1000 $15.484 $15484
1500 $15.326 $22989
2000 $15.168 $30336
2500 $15.01 $37525
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
configuração de diodo 1 Pair Common Cathode
tipo de diodo Silicon Carbide Schottky
tensão - dc reversa (vr) (máx.) 1200 V
corrente - média retificada (io) (por diodo) 19.8A (DC)
tensão - direta (vf) (máx.) @ if 1.7 V @ 5 A
velocidade No Recovery Time > 500mA (Io)
tempo de recuperação reversa (trr) 0 ns
corrente - fuga reversa @ vr 50 µA @ 1200 V
temperatura de operação - junção -55°C ~ 175°C
tipo de montagem Through Hole
pacote / caixa TO-247-3
pacote de dispositivo do fornecedor TO-247AB
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Número da peça relacionada

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