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FQT4N20TF

FQT4N20TF

FQT4N20TF

MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4

compliant

FQT4N20TF Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.29000 $0.29
500 $0.2871 $143.55
1000 $0.2842 $284.2
1500 $0.2813 $421.95
2000 $0.2784 $556.8
2500 $0.2755 $688.75
2363 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 200 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 850mA (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.4Ohm @ 425mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 6.5 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 220 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2.2W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-223-4
pacote / caixa TO-261-4, TO-261AA
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Número da peça relacionada

RSJ250P10FRATL
CSD16323Q3
CSD16323Q3
$0 $/pedaço
CSD16407Q5
CSD16407Q5
$0 $/pedaço
DMN313DLT-7
DMN313DLT-7
$0 $/pedaço
STD2NC45-1
STD2NC45-1
$0 $/pedaço
IXFB70N60Q2
IXFB70N60Q2
$0 $/pedaço
FDP12N50

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