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FQPF9N25C

FQPF9N25C

FQPF9N25C

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8

compliant

FQPF9N25C Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.37000 $1.37
10 $1.21200 $12.12
100 $0.95780 $95.78
500 $0.74278 $371.39
1,000 $0.58641 -
9565 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 250 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 8.8A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 430mOhm @ 4.4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 35 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 710 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 38W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220F-3
pacote / caixa TO-220-3 Full Pack
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Número da peça relacionada

NTMFS0D6N03CT1G
NTMFS0D6N03CT1G
$0 $/pedaço
FCH060N80-F155
FCH060N80-F155
$0 $/pedaço
MSC025SMA120S
IRFBE30LPBF
IRFBE30LPBF
$0 $/pedaço
2SK4098LS
2SK4098LS
$0 $/pedaço
DMP10H4D2S-13
APT22F120B2
IRFI620GPBF
IRFI620GPBF
$0 $/pedaço

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