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FQPF8N90C

FQPF8N90C

FQPF8N90C

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6

SOT-23

não conforme

FQPF8N90C Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,000 $1.12238 -
5346 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 900 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 6.3A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.9Ohm @ 3.15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 45 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2080 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 60W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220F
pacote / caixa TO-220-3 Full Pack
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Número da peça relacionada

NTD25P03LT4G
NTD25P03LT4G
$0 $/pedaço
IRL60S216
IRL60S216
$0 $/pedaço
SPW47N60C3FKSA1
DMG3415UFY4Q-7
MMBF1374T1
MMBF1374T1
$0 $/pedaço
SI8823EDB-T2-E1
IRF510PBF
IRF510PBF
$0 $/pedaço
IRF1407PBF
SI3483CDV-T1-GE3

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