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FQD60N03LTM

FQD60N03LTM

FQD60N03LTM

N-CHANNEL POWER MOSFET

não conforme

FQD60N03LTM Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.55000 $0.55
500 $0.5445 $272.25
1000 $0.539 $539
1500 $0.5335 $800.25
2000 $0.528 $1056
2500 $0.5225 $1306.25
10000 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 30A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 23mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 46 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±16V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 900 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 45W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-252-3 (DPAK)
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

IRFR120TRRPBF
IRFR120TRRPBF
$0 $/pedaço
NTD85N02R-001
NTD85N02R-001
$0 $/pedaço
SISS27ADN-T1-GE3
1HN04CH-TL-W
1HN04CH-TL-W
$0 $/pedaço
PMV50XNEAR
PMV50XNEAR
$0 $/pedaço
IPD65R400CEAUMA1
5LP01C-TB-E
5LP01C-TB-E
$0 $/pedaço
STD7LN80K5
STD7LN80K5
$0 $/pedaço

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