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FQB7N60TM-WS

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FQB7N60 - MOSFET N-CHANNEL SINGL

não conforme

FQB7N60TM-WS Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.90000 $0.9
500 $0.891 $445.5
1000 $0.882 $882
1500 $0.873 $1309.5
2000 $0.864 $1728
2500 $0.855 $2137.5
800 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 7.4A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1Ohm @ 3.7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 38 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1430 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.13W (Ta), 142W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D²PAK (TO-263)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

IRFB7434PBF
VP0106N3-G
VP0106N3-G
$0 $/pedaço
IRF740STRLPBF
IRF740STRLPBF
$0 $/pedaço
FCP130N60
FCP130N60
$0 $/pedaço
STI24N60M2
STI24N60M2
$0 $/pedaço
IXFK102N30P
IXFK102N30P
$0 $/pedaço
IXFH67N10
IXFH67N10
$0 $/pedaço
SI5471DC-T1-GE3
ATP301-TL-H
ATP301-TL-H
$0 $/pedaço

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