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FQB27N25TM

FQB27N25TM

FQB27N25TM

N-CHANNEL POWER MOSFET

compliant

FQB27N25TM Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.20000 $1.2
500 $1.188 $594
1000 $1.176 $1176
1500 $1.164 $1746
2000 $1.152 $2304
2500 $1.14 $2850
16857 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 250 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 25.5A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 131mOhm @ 25.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 49 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1800 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 417W (Tj)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D2PAK (TO-263)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

IXTP130N15X4
IXTP130N15X4
$0 $/pedaço
STP110N8F6
STP110N8F6
$0 $/pedaço
IPU80R900P7AKMA1
SI4427BDY-T1-E3
2N7002W-TP
2N7002W-TP
$0 $/pedaço
RF4E100AJTCR
RF4E100AJTCR
$0 $/pedaço
IRF8721TRPBF

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