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FQB19N10LTM

FQB19N10LTM

FQB19N10LTM

MOSFET N-CH 100V 19A D2PAK

compliant

FQB19N10LTM Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.55000 $0.55
500 $0.5445 $272.25
1000 $0.539 $539
1500 $0.5335 $800.25
2000 $0.528 $1056
2500 $0.5225 $1306.25
5002 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 19A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 100mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 18 nC @ 5 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 870 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.75W (Ta), 75W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D2PAK (TO-263)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

STW15N80K5
STW15N80K5
$0 $/pedaço
RU1E002SPTCL
RU1E002SPTCL
$0 $/pedaço
IRFS4610TRLPBF
FDD86369
FDD86369
$0 $/pedaço
PMN48XPAX
PMN48XPAX
$0 $/pedaço
CSD19532Q5B
CSD19532Q5B
$0 $/pedaço
SIR464DP-T1-GE3
MCT04P06-TP
MCT04P06-TP
$0 $/pedaço
BUK9Y14-80E,115

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