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FQAF19N60

FQAF19N60

FQAF19N60

MOSFET N-CH 600V 11.2A TO3PF

não conforme

FQAF19N60 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $2.44000 $2.44
500 $2.4156 $1207.8
1000 $2.3912 $2391.2
1500 $2.3668 $3550.2
2000 $2.3424 $4684.8
2500 $2.318 $5795
681 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 11.2A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 380mOhm @ 5.6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 90 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3600 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 120W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-3PF
pacote / caixa TO-3P-3 Full Pack
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Número da peça relacionada

RS1E260ATTB1
RS1E260ATTB1
$0 $/pedaço
NTTFS1D8N02P1E
NTTFS1D8N02P1E
$0 $/pedaço
NTGS3441T1
NTGS3441T1
$0 $/pedaço
IXTA180N10T-TRL
IXTA180N10T-TRL
$0 $/pedaço
MSC040SMA120J
NVMYS2D1N04CLTWG
NVMYS2D1N04CLTWG
$0 $/pedaço
APT10045LLLG

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