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FDS9953A

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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

compliant

FDS9953A Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,500 $0.39918 -
5,000 $0.37312 -
12,500 $0.36009 -
25,000 $0.35298 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto 2 P-Channel (Dual)
característica fet Logic Level Gate
tensão de dreno para fonte (vdss) 30V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 2.9A
rds em (máx.) @ id, vgs 130mOhm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 3.5nC @ 10V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 185pF @ 15V
potência - máx. 900mW
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote / caixa 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
pacote de dispositivo do fornecedor 8-SOIC
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Número da peça relacionada

NTJD1155LT1
NTJD1155LT1
$0 $/pedaço
DMN63D1LDW-13
SI4500BDY-T1-GE3
NTQD4154ZR2
NTQD4154ZR2
$0 $/pedaço
SI6966EDQ-T1-GE3
SI5935DC-T1-E3
SI5935DC-T1-E3
$0 $/pedaço

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