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FDP8440

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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

FDP8440 Ficha de dados

compliant

FDP8440 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $5.10000 $5.1
10 $4.55100 $45.51
100 $3.73180 $373.18
800 $2.73059 $2184.472
1,600 $2.54854 -
18984 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 100A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 2.2mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 450 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 24740 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 306W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220-3
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

R6524KNXC7G
R6524KNXC7G
$0 $/pedaço
BUK7Y22-100EX
BUK7Y22-100EX
$0 $/pedaço
SI7328DN-T1-GE3
SQJ858AEP-T1_BE3
DMN2026UVT-7
FDS4141
FDS4141
$0 $/pedaço
SIHG25N60EFL-GE3
BUK7Y4R8-60EX
BUK7Y4R8-60EX
$0 $/pedaço

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