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FDP6676S

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N-CHANNEL POWER MOSFET

não conforme

FDP6676S Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.90000 $0.9
500 $0.891 $445.5
1000 $0.882 $882
1500 $0.873 $1309.5
2000 $0.864 $1728
2500 $0.855 $2137.5
1485 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 76A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 6.5mOhm @ 38A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 56 nC @ 5 V
vgs (máx.) ±16V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 4853 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 70W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220-3
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

IXTR140P10T
IXTR140P10T
$0 $/pedaço
RD3H080SPTL1
RD3H080SPTL1
$0 $/pedaço
STP22NM60N
STP22NM60N
$0 $/pedaço
CSD17308Q3T
CSD17308Q3T
$0 $/pedaço
FDD86110
FDD86110
$0 $/pedaço
IXFK26N100P
IXFK26N100P
$0 $/pedaço
PSMN9R5-100BS,118
STF21N65M5
STF21N65M5
$0 $/pedaço

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