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FDP39N20

FDP39N20

FDP39N20

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3

não conforme

FDP39N20 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $2.21000 $2.21
10 $1.99300 $19.93
100 $1.60160 $160.16
500 $1.24566 $622.83
1,000 $1.03212 -
500 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 200 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 39A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 66mOhm @ 19.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 49 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2130 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 251W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220-3
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

NTD4979NT4G
NTD4979NT4G
$0 $/pedaço
IXFQ20N50P3
IXFQ20N50P3
$0 $/pedaço
IXFK32N100P
IXFK32N100P
$0 $/pedaço
BSS84AKW/DG/B2215
BSS84AKW/DG/B2215
$0 $/pedaço
RM210N75HD
RM210N75HD
$0 $/pedaço
R6511KNJTL
R6511KNJTL
$0 $/pedaço
SISH407DN-T1-GE3

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