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FDD8451

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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9

FDD8451 Ficha de dados

não conforme

FDD8451 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,500 $0.40733 -
5,000 $0.38696 -
12,500 $0.37242 -
25,000 $0.37030 -
5302 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 9A (Ta), 28A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 24mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 20 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 990 pF @ 20 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 30W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-252, (D-Pak)
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

IXFT94N30P3
IXFT94N30P3
$0 $/pedaço
FDMS86201
FDMS86201
$0 $/pedaço
SIR164ADP-T1-GE3
NVD5C478NLT4G
NVD5C478NLT4G
$0 $/pedaço
APT56M50L
APT56M50L
$0 $/pedaço
IPI65R280C6
STW42N60M2-EP

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