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FDD5670

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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

FDD5670 Ficha de dados

compliant

FDD5670 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,500 $1.20834 -
5,000 $1.16614 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 52A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 6V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 15mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 73 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2739 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.8W (Ta), 83W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-252, (D-Pak)
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

SIE804DF-T1-GE3
PMZ250UN,315
PMZ250UN,315
$0 $/pedaço
APT40M35JVFR
IXFT78N60X3HV
IXFT78N60X3HV
$0 $/pedaço
STP16NF25
STP16NF25
$0 $/pedaço
IPS06N03LA G
RSS105N03TB
RSS105N03TB
$0 $/pedaço
IPB200N15N3G
IRFR13N20DCPBF

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