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FDD3680

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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

FDD3680 Ficha de dados

compliant

FDD3680 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,500 $1.09006 -
5,000 $1.05199 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 25A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 6V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 46mOhm @ 6.1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 53 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1735 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 68W (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-252, (D-Pak)
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

IRL3715TRL
IRLZ44STRL
IRLZ44STRL
$0 $/pedaço
MTB50P03HDLG
MTB50P03HDLG
$0 $/pedaço
IRFS3107PBF
2SK3748-1E
2SK3748-1E
$0 $/pedaço
IXTC102N20T
IXTC102N20T
$0 $/pedaço

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