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FDB6690S

FDB6690S

FDB6690S

MOSFET N-CH 30V 42A TO263AB

não conforme

FDB6690S Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.70000 $0.7
500 $0.693 $346.5
1000 $0.686 $686
1500 $0.679 $1018.5
2000 $0.672 $1344
2500 $0.665 $1662.5
2824 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 42A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 15.5mOhm @ 21A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 15 nC @ 5 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1238 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 48W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D2PAK (TO-263)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

AUIRLR3410TR
IXTH460P2
IXTH460P2
$0 $/pedaço
FDT86256
FDT86256
$0 $/pedaço
SI3139K-TP
SI3139K-TP
$0 $/pedaço
PMCM6501VPEZ
PMCM6501VPEZ
$0 $/pedaço
IXTT36N50P
IXTT36N50P
$0 $/pedaço
STB14NK60ZT4
STB14NK60ZT4
$0 $/pedaço
DMP2008USS-13
MCH3376-TL-E
MCH3376-TL-E
$0 $/pedaço
NTP35N15G
NTP35N15G
$0 $/pedaço

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