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FDB6670AL

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MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB

não conforme

FDB6670AL Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.00000 $1
500 $0.99 $495
1000 $0.98 $980
1500 $0.97 $1455
2000 $0.96 $1920
2500 $0.95 $2375
92104 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 80A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 6.5mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 33 nC @ 5 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2440 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 68W (Tc)
temperatura de operação -65°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D2PAK (TO-263)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

STL50N6F7
STL50N6F7
$0 $/pedaço
BUK762R0-40C,118
NTP5426NG
NTP5426NG
$0 $/pedaço
SI1441EDH-T1-GE3
STFW42N60M2-EP
IXTF200N10T
IXTF200N10T
$0 $/pedaço
STF140N6F7
STF140N6F7
$0 $/pedaço
STP34NM60ND
STP34NM60ND
$0 $/pedaço
MCB85N06Y-TP

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