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FDB6035AL

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N-CHANNEL POWER MOSFET

não conforme

FDB6035AL Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.34000 $1.34
500 $1.3266 $663.3
1000 $1.3132 $1313.2
1500 $1.2998 $1949.7
2000 $1.2864 $2572.8
2500 $1.273 $3182.5
172290 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 48A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 12mOhm @ 24A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 18 nC @ 5 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1250 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 52W (Tc)
temperatura de operação -65°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-263AB
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

SI7336ADP-T1-E3
FDB7030L
BUK6246-75C,118
CSD25484F4
CSD25484F4
$0 $/pedaço
IXFT70N30Q3
IXFT70N30Q3
$0 $/pedaço
IXTA130N10T7
IXTA130N10T7
$0 $/pedaço
PSMN6R3-120ESQ
NVMFS5C404NWFAFT1G
NVMFS5C404NWFAFT1G
$0 $/pedaço

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