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FDB5690

FDB5690

FDB5690

MOSFET N-CH 60V 32A TO263AB

FDB5690 Ficha de dados

compliant

FDB5690 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.60000 $1.6
500 $1.584 $792
1000 $1.568 $1568
1500 $1.552 $2328
2000 $1.536 $3072
2500 $1.52 $3800
18503 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 32A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 6V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 27mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 33 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1120 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 58W (Tc)
temperatura de operação -65°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D2PAK (TO-263)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

IRF7805ZTRPBF
SI3469DV-T1-BE3
SI4100DY-T1-E3
SI4100DY-T1-E3
$0 $/pedaço
STB17N80K5
STB17N80K5
$0 $/pedaço
APT20M38SVRG/TR
RFD14N05L
RFD14N05L
$0 $/pedaço
STP75NF20
STP75NF20
$0 $/pedaço

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