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FDB3672

FDB3672

FDB3672

MOSFET N-CH 100V 7.2A/44A TO263

FDB3672 Ficha de dados

não conforme

FDB3672 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 7.2A (Ta), 44A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 6V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 28mOhm @ 44A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 31 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1710 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 120W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D2PAK (TO-263)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

AUIRLU024Z
AUIRLSL3036
MTD20P03HDLT4
MTD20P03HDLT4
$0 $/pedaço
NTMS4101PR2
NTMS4101PR2
$0 $/pedaço
SPP04N50C3HKSA1
IRFU120
IRFU120
$0 $/pedaço
NTD78N03G
NTD78N03G
$0 $/pedaço

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