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FDB14AN06LA0

FDB14AN06LA0

FDB14AN06LA0

MOSFET N-CH 60V 10A/67A TO263AB

compliant

FDB14AN06LA0 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 10A (Ta), 67A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 11.6mOhm @ 67A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 31 nC @ 5 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2900 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 125W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D2PAK (TO-263)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

SIS778DN-T1-GE3
IXFH16N90Q
IXFH16N90Q
$0 $/pedaço
AUIRFP2907Z
SI3434-TP
SI3434-TP
$0 $/pedaço
NTD4909NAT4G
NTD4909NAT4G
$0 $/pedaço
BSP315P-E6327
IRF3711STRLPBF
IRLR9343TRLPBF
SI7615BDN-T1-GE3

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